သံမဏိပြား၏ ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် ဓာတုဒြပ်စင်များ၏ အကျိုးသက်ရောက်မှု
ကာဗွန်ပါဝင်မှု ၂.၁၁% အောက်ရှိသော သံ-ကာဗွန်သတ္တုစပ်ကို သံမဏိဟုခေါ်သည်။ သံ (Fe) နှင့် ကာဗွန် (C) ကဲ့သို့သော ဓာတုဒြပ်စင်များအပြင် သံမဏိတွင် ဆီလီကွန် (Si)၊ မန်းဂနိစ် (Mn)၊ ဖော့စဖရပ်စ် (P)၊ ဆာလဖာ (S)၊ အောက်ဆီဂျင် (O)၊ နိုက်ထရိုဂျင် (N)၊ နိုင်အိုဘီယမ် (Nb) နှင့် တိုက်တေနီယမ် (Ti) အနည်းငယ်လည်း ပါဝင်သည်။ သံမဏိဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် အဖြစ်များသော ဓာတုဒြပ်စင်များ၏ သြဇာလွှမ်းမိုးမှုမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
၁။ ကာဗွန် (C): သံမဏိတွင် ကာဗွန်ပါဝင်မှု မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ yield strength နှင့် tensile strength မြင့်တက်လာသော်လည်း plasticity နှင့် impact strength လျော့ကျသွားသည်။ သို့သော် ကာဗွန်ပါဝင်မှု 0.23% ထက်ကျော်လွန်သောအခါ သံမဏိ၏ ဂဟေဆက်နိုင်စွမ်း ယိုယွင်းလာသည်။ ထို့ကြောင့် ဂဟေဆော်ရာတွင် အသုံးပြုသော အလွိုင်းနည်းသော ဖွဲ့စည်းပုံသံမဏိ၏ ကာဗွန်ပါဝင်မှုသည် ယေဘုယျအားဖြင့် 0.20% ထက် မပိုပါ။ ကာဗွန်ပါဝင်မှု မြင့်တက်လာခြင်းသည် သံမဏိ၏ လေထုချေးခံနိုင်ရည်ကိုလည်း လျော့ကျစေပြီး ကာဗွန်မြင့်မားသော သံမဏိသည် လေထဲတွင် ချေးလွယ်သည်။ ထို့အပြင် ကာဗွန်သည် သံမဏိ၏ အအေးဒဏ်ကြောင့် ကြွပ်ဆတ်ခြင်းနှင့် အိုမင်းခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ကို တိုးစေနိုင်သည်။
၂။ ဆီလီကွန် (Si): ဆီလီကွန်သည် သံမဏိပြုလုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အားကောင်းသော အောက်ဆီဒေးရှင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး သံမဏိသတ်ထားသော သံမဏိတွင် ဆီလီကွန်ပါဝင်မှုသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ၀.၁၂% မှ ၀.၃၇% အထိရှိသည်။ သံမဏိတွင် ဆီလီကွန်ပါဝင်မှုသည် ၀.၅၀% ထက်ကျော်လွန်ပါက ဆီလီကွန်ကို သတ္တုစပ်ဒြပ်စင်ဟုခေါ်သည်။ ဆီလီကွန်သည် သံမဏိ၏ elastic limit၊ yield strength နှင့် tensile strength ကို သိသိသာသာတိုးတက်ကောင်းမွန်စေနိုင်ပြီး စပရိန်သံမဏိအဖြစ် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ quenched နှင့် tempered structural steel ထဲသို့ ဆီလီကွန် ၁.၀-၁.၂% ထည့်ခြင်းဖြင့် အစွမ်းသတ္တိကို ၁၅-၂၀% တိုးမြှင့်နိုင်သည်။ ဆီလီကွန်၊ မိုလစ်ဒီနမ်၊ တန်စတင်နှင့် ခရိုမီယမ်တို့နှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ချေးခံနိုင်ရည်နှင့် အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး အပူဒဏ်ခံနိုင်သော သံမဏိထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ အလွန်မြင့်မားသော သံလိုက်စိမ့်ဝင်နိုင်သော ဆီလီကွန် ၁.၀-၄.၀% ပါဝင်သော ကာဗွန်နည်းသံမဏိကို လျှပ်စစ်သံမဏိအဖြစ် လျှပ်စစ်သံမဏိအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ ဆီလီကွန်ပါဝင်မှု မြင့်တက်လာခြင်းသည် သံမဏိ၏ ဂဟေဆက်နိုင်စွမ်းကို လျော့ကျစေမည်ဖြစ်သည်။
၃။ မန်းဂနိစ် (Mn): မန်းဂနိစ်သည် အောက်ဆီဒေးရှင်းနှင့် ဆာလ်ဖျူရီဇာ ကောင်းမွန်သော ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် သံမဏိတွင် မန်းဂနိစ် ၀.၃၀-၀.၅၀% ပါဝင်သည်။ ကာဗွန်သံမဏိတွင် မန်းဂနိစ် ၀.၇၀% ထက်ပို၍ ထည့်သောအခါ "မန်းဂနိစ်သံမဏိ" ဟုခေါ်သည်။ သာမန်သံမဏိနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ခိုင်ခံ့မှု လုံလောက်ရုံသာမက ခိုင်ခံ့မှုနှင့် မာကျောမှုလည်း မြင့်မားသောကြောင့် သံမဏိ၏ မာကျောနိုင်စွမ်းနှင့် အပူပေးနိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေသည်။ မန်းဂနိစ် ၁၁-၁၄% ပါဝင်သော သံမဏိသည် ဟောင်းနွမ်းမှုဒဏ်ခံနိုင်ရည် အလွန်မြင့်မားပြီး တူးဖော်သည့်ပုံး၊ ဘောလုံးစက်အတွင်းခံ စသည်တို့တွင် မကြာခဏ အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ မန်းဂနိစ်ပါဝင်မှု မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ သံမဏိ၏ ချေးခံနိုင်ရည် အားနည်းလာပြီး ဂဟေဆက်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည် ကျဆင်းသွားသည်။
၄။ ဖော့စဖရပ်စ် (P): ယေဘုယျအားဖြင့် ဖော့စဖရပ်စ်သည် သံမဏိတွင် အန္တရာယ်ရှိသော ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး သံမဏိ၏ ခိုင်ခံ့မှုကို တိုးတက်စေသော်လည်း သံမဏိ၏ ပလတ်စတစ်နှင့် ခိုင်ခံ့မှုကို လျော့ကျစေပြီး သံမဏိ၏ အအေးဒဏ်ကြောင့် ကြွပ်ဆတ်မှုကို တိုးစေပြီး ဂဟေဆက်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အအေးဒဏ်ကြောင့် ကွေးညွှတ်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို ယိုယွင်းစေသည်။ ထို့ကြောင့် သံမဏိတွင် ဖော့စဖရပ်စ် ပါဝင်မှုသည် 0.045% ထက်နည်းပြီး အရည်အသွေးမြင့် သံမဏိ လိုအပ်ချက်မှာ နည်းပါးလေ့ရှိသည်။
၅။ ဆာလ်ဖာ (S): ဆာလ်ဖာသည် ပုံမှန်အခြေအနေတွင် အန္တရာယ်ရှိသော ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ သံမဏိကို အပူပေးပြီး ကြွပ်ဆတ်စေကာ သံမဏိ၏ ပုံသွင်းနိုင်စွမ်းနှင့် ခိုင်ခံ့မှုကို လျော့ကျစေပြီး ပုံသွင်းခြင်းနှင့် လှိမ့်ခြင်းတွင် အက်ကွဲကြောင်းများ ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ဆာလ်ဖာသည် ဂဟေဆက်ခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း ထိခိုက်စေပြီး ချေးခံနိုင်ရည်ကို လျော့ကျစေသည်။ ထို့ကြောင့် ဆာလ်ဖာပါဝင်မှုသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ၀.၀၅၅% ထက်နည်းပြီး အရည်အသွေးမြင့်သံမဏိ၏ပါဝင်မှုသည် ၀.၀၄၀% ထက်နည်းသည်။ သံမဏိတွင် ၀.၀၈-၀.၂၀% ဆာလ်ဖာထည့်ခြင်းဖြင့် စက်မလည်ပတ်နိုင်မှုကို တိုးတက်စေပြီး ၎င်းကို လွတ်လပ်စွာဖြတ်တောက်နိုင်သော သံမဏိဟု ခေါ်လေ့ရှိသည်။
၆။ အလူမီနီယမ် (Al): အလူမီနီယမ်သည် သံမဏိတွင် အသုံးများသော အောက်ဆီဒေးရှင်းဓာတ်တိုးစေသည့်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ သံမဏိထဲသို့ အလူမီနီယမ်အနည်းငယ်ထည့်ခြင်းဖြင့် အမှုန်အရွယ်အစားကို ပြုပြင်ပေးပြီး ထိခိုက်မှုဒဏ်ခံနိုင်ရည်ကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။ အလူမီနီယမ်တွင် အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်နှင့် ချေးခံနိုင်ရည်လည်းရှိသည်။ အလူမီနီယမ်ကို ခရိုမီယမ်နှင့် ဆီလီကွန်တို့နှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် သံမဏိ၏ အပူချိန်မြင့် ခွာချနိုင်စွမ်းနှင့် အပူချိန်မြင့် ချေးခံနိုင်ရည်ကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေသည်။ အလူမီနီယမ်၏ အားနည်းချက်မှာ သံမဏိ၏ အပူပေးလုပ်ဆောင်မှုစွမ်းဆောင်ရည်၊ ဂဟေဆက်နိုင်စွမ်းနှင့် ဖြတ်တောက်နိုင်စွမ်းတို့ကို ထိခိုက်စေခြင်းဖြစ်သည်။
၇။ အောက်ဆီဂျင် (O) နှင့် နိုက်ထရိုဂျင် (N): အောက်ဆီဂျင်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်တို့သည် သတ္တုအရည်ပျော်သောအခါ မီးဖိုဓာတ်ငွေ့မှ ဝင်ရောက်နိုင်သော အန္တရာယ်ရှိသော ဒြပ်စင်များဖြစ်သည်။ အောက်ဆီဂျင်သည် သံမဏိကို အပူဖြင့် ကြွပ်ဆတ်စေနိုင်ပြီး ၎င်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ဆာလဖာထက် ပိုမိုပြင်းထန်သည်။ နိုက်ထရိုဂျင်သည် သံမဏိ၏ အအေးဒဏ်ကြောင့် ကြွပ်ဆတ်မှုကို ဖော့စဖရပ်စ်နှင့် ဆင်တူစေသည်။ နိုက်ထရိုဂျင်၏ အိုမင်းရင့်ရော်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုသည် သံမဏိ၏ မာကျောမှုနှင့် ခွန်အားကို တိုးစေနိုင်သော်လည်း အထူးသဖြင့် ပုံပျက်ခြင်းအိုမင်းခြင်းတွင် ပုံသွင်းနိုင်စွမ်းနှင့် ခွန်အားကို လျော့ကျစေသည်။
၈။ နီယိုဘီယမ် (Nb)၊ ဗန်နာဒီယမ် (V) နှင့် တိုက်တေနီယမ် (Ti): နီယိုဘီယမ်၊ ဗန်နာဒီယမ်နှင့် တိုက်တေနီယမ်တို့သည် ဂျုံစေ့သန့်စင်သည့် ဒြပ်စင်များဖြစ်သည်။ ဤဒြပ်စင်များကို သင့်လျော်စွာထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် သံမဏိဖွဲ့စည်းပုံကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး ဂျုံစေ့ကို သန့်စင်ကာ သံမဏိ၏ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် ကြံ့ခိုင်မှုကို သိသိသာသာ တိုးတက်ကောင်းမွန်စေနိုင်သည်။